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TZM100GB120A
·产品说明:

 Features:

●MOS input (voltage controlled)

●N channel, homogeneous Si

●Low inductance case

●Very low tail current with low temperature dependence

●High short circuit capability, self limiting to 6×Icnom

●Latch-up free

●Fast & Soft inverse CAL diodes

●Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology

●Large clearance(10mm) and creepage distances (20mm)

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·产品参数:
·最大负载电流: 100A ·负载电压范围: 1200V ·输入控制电压: ±20V
·输入控制方式: VGE ·外型尺寸 长*宽*高(mm): 94*34*30.5
 

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