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TZM75GB120A
·产品说明:

 75A1200V 两单元IGBT模块

Features:

●MOS input (voltage controlled)

●N channel, homogeneous Si

Low inductance case

Very low tail current with low temperature dependence

High short circuit capability, self limiting to 6×Icnom

Latch-up free

Fast & Soft inverse CAL diodes

Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology

Large clearance(10mm) and creepage distances (20mm)

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·产品参数:
·最大负载电流: 75A ·负载电压范围: 1200V ·输入控制电压: ±20V
·输入控制方式: VGE ·外型尺寸 长*宽*高(mm): 94*34*30.5
 

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