杭州国晶可控硅模块出厂参数标注值中，阻断电压、漏电流、di/dt、dv/dt等参数是指在125℃（杭州国晶的H系列高结温可控硅模块以上参数是在140℃）额定结温条件下的测量值，这几项参数在低温下仍可保证其性能；门极触发电流IGT、门极触发电压VGT是在25℃室温条件下的测量值，该两项参数随温度升高而减小，随温度降低而增大