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可控硅模块在恶劣环境条件下的应用
发布时间:2012-06-04
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 可控硅模块参数与其芯片所处环境条件有十分密切的关系,在高海拔、低温环境下工作时,用户需要注意合理运用,保证器件可靠地运行。

    杭州国晶可控硅模块出厂参数标注值中,阻断电压、漏电流、di/dt、dv/dt等参数是指在125℃(杭州国晶的H系列高结温可控硅模块以上参数是在140℃)额定结温条件下的测量值,这几项参数在低温下仍可保证其性能;门极触发电流IGT、门极触发电压VGT是在25℃室温条件下的测量值,该两项参数随温度升高而减小,随温度降低而增大

 

 


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